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斩波电路IGBT模块损耗计算

IGBT模块损耗:
IGBT模块
IGBT:
通态损耗
开关损耗(开通损耗EON、关断损耗EOFF)
FWD:
通态损耗
开关(反向恢复)损耗 ERR
斩波电路平均损耗的计算:
斩波电路平均损耗的计算
平均损耗计算范例
PRHMB100B12, Vcc=600V, Ic=100A, RG=10Ω,VGE=±15V, f=10kHz, 导通比 :3:1
通态损耗 : 100(A)×2.2*1(V)×3/4=160(W)
开通损耗 : 9.5(mJ)×10(kHz)=95(W)
关断损耗 : 9.5(mJ)×10(kHz)=95(W)
IGBT 损耗合计 : 350(W)
通态损耗 : 100(A)×1.9*2(V)×1/4=47.5(W)
开关(反向恢复)损耗 : 8.5(mJ)×10(kHz)=85(W)
FWD 损耗合计 : 132.5(W)
模块损耗合计 482.5(W)
*1 Ic=100A, TJ=125℃时的集电极-发射极之间的饱和压降
*2 IF=100A, TJ=125℃ 时的FWD正向电压
相对于外壳温度的结温上升:
相对于外壳温度的结温上升
相对于环境温度、散热片温度的外壳温度上升:
接触热阻 Rth(c-f),散热片热阻 Rth(f-a)
相对于环境温度、散热片温度的外壳温度上升
外壳温度和散热片/周围温度的差距
Tc-Tf                       Rth(c-f)×482.5
Tf-Ta                       Rth(f-a)×482.5

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